Croissance épitaxiale de Nitrure d'Aluminium par procédé CVD : relation entre paramètres du procédé et structure cristalline

Résumé : Ce manuscrit aborde le problème de la croissance épitaxiale de nitrure d'aluminium par CVD selon un couplage Matériaux / Génie des Procédés. Dans une première partie, l'apport de la simulation multiphysique pour l'aide à la définition d'une fenêtre de croissance épitaxiale du matériau sur saphir sera abordé. Il sera montré qu'à l'aide de seulement trois paramètres (température, sursaturation et vitesse de croissance), il est possible de prévoir la microstructure du matériau (croissance épitaxiale ou polycristalline). Dans cette fenêtre de croissance épitaxiale, la contrainte finale du dépôt et sa qualité cristalline sont difficiles à prévoir. Une seconde partie du manuscrit présentera donc une approche expérimentale plus systématique de l'influence des paramètres de croissance sur le dépôt, de type plans d'expériences. Cette méthode permettra de prouver que la contrainte des dépôts, et indirectement leur qualité cristalline, dépendent essentiellement de la taille des ilots de nucléation présents lors des premiers instants de croissance. La taille de ces ilots est fortement dépendante de tous les paramètres du procédé, même ceux considérés habituellement comme secondaires. Enfin le manuscrit sera l'occasion de présenter les activités menées pendant 10 ans au sein du laboratoire.
Type de document :
HDR
Matériaux. Ecole doctorale IMEP2 (Grenoble), 2017
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Contributeur : Raphaël Boichot <>
Soumis le : jeudi 1 juin 2017 - 10:58:23
Dernière modification le : mercredi 20 février 2019 - 12:40:06
Document(s) archivé(s) le : mercredi 6 septembre 2017 - 18:34:54

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  • HAL Id : tel-01531049, version 1

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Raphael Boichot. Croissance épitaxiale de Nitrure d'Aluminium par procédé CVD : relation entre paramètres du procédé et structure cristalline. Matériaux. Ecole doctorale IMEP2 (Grenoble), 2017. 〈tel-01531049〉

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