Evaluation of static and dynamic performances of silicon-based bipolar phototransistors under radiation - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Evaluation of static and dynamic performances of silicon-based bipolar phototransistors under radiation

Gianandrea Quadri
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
O. Gilard
J. L. Roux
  • Fonction : Auteur
Piero Spezzigu
  • Fonction : Auteur
Laurent Bechou
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
M. Vanzi
  • Fonction : Auteur
Yves Ousten
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
D. Gibard
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00402614

Soumis le : mardi 7 juillet 2009-17:06:07

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00402614 , version 1 (07-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00402614 , version 1

Citer

Gianandrea Quadri, O. Gilard, J. L. Roux, Piero Spezzigu, Laurent Bechou, et al.. Evaluation of static and dynamic performances of silicon-based bipolar phototransistors under radiation. IEEE RADIATION EFFECTS DATA WORKSHOP, Jul 2008, Tucson - Arizona, United States. pp. 131-134. ⟨hal-00402614⟩

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