Trapped mobile charges effects on electro-optical performances in silicon phototransistors for space applications - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Trapped mobile charges effects on electro-optical performances in silicon phototransistors for space applications

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00403233

Soumis le : jeudi 9 juillet 2009-17:04:24

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00403233 , version 1 (09-07-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00403233 , version 1

Citer

Piero Spezzigu, Gianandrea Quadri, Olivier Gilard, Laurent Bechou, Yves Ousten, et al.. Trapped mobile charges effects on electro-optical performances in silicon phototransistors for space applications. ISROS, May 2009, Cagliari, Italy. p285. ⟨hal-00403233⟩

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