Ge nanocrystals embedded in Si3N4/HfO2 stack gate dielectrics by low-energy ion implantation for nonvolatile memory application - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Ge nanocrystals embedded in Si3N4/HfO2 stack gate dielectrics by low-energy ion implantation for nonvolatile memory application

Marie-Anne Jung  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00463973

Soumis le : lundi 15 mars 2010-15:43:57

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11

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Dates et versions

hal-00463973 , version 1 (15-03-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00463973 , version 1

Citer

B.S. Sahu, A. Slaoui, J.J. Grob, Marzia Carrada, Caroline Bonafos, et al.. Ge nanocrystals embedded in Si3N4/HfO2 stack gate dielectrics by low-energy ion implantation for nonvolatile memory application. Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Materials and Physics for Nonvolatile Memories, Apr 2009, San Francisco, United States. ⟨hal-00463973⟩

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