Protection périphérique pour composants de puissance en diamant - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Protection périphérique pour composants de puissance en diamant

Résumé

Dans cet article, la première étape de conception d'une structure de protection périphérique applicable aux composants unipolaires en diamant est présentée. Au travers de la mise en place d'une plateforme de simulation de composants diamant au LAAS et en collaboration avec le laboratoire AMPERE, une étude de protections périphériques par matériau semirésistif a été menée. Sont ainsi montrés les résultats de simulation de diodes Schottky de type P protégées par gravure et diverses couches de matériau tels différents diélectriques ou des matériaux semi-résistifs. L'analyse des simulations réalisées sur des structures quasi-verticales protégées par une plaque de champ sur matériau semi-résistif déposé sur un diélectrique démontre l'efficacité d'une telle protection.
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Dates et versions

hal-00618708 , version 1 (31-07-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00618708 , version 1

Citer

Fabien Thion, Karine Isoird, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli. Protection périphérique pour composants de puissance en diamant. 13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p. ⟨hal-00618708⟩
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