structural characterization of MBE grown GaP/Si nanolayers - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

structural characterization of MBE grown GaP/Si nanolayers

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00654309 , version 1 (21-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00654309 , version 1

Citer

Weiming Guo, Georges Elias, Antoine Létoublon, Charles Cornet, Anne Ponchet, et al.. structural characterization of MBE grown GaP/Si nanolayers. euro-MBE, Mar 2011, Alpe d'Huez, France. ⟨hal-00654309⟩
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