Growth of GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Growth of GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918666 , version 1 (14-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918666 , version 1

Citer

Jithesh Kuyyalil, Thanh Tra Nguyen, Thomas Quinci, Charles Cornet, Antoine Létoublon, et al.. Growth of GaP on biatomic Si steps using a UHVCVD-MBE cluster. euro-MBE conference, Mar 2013, Levi, Finland. ⟨hal-00918666⟩
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