Convertisseur de fréquences BiCMOS en bande K basé sur un mélange passif à faibles pertes - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Convertisseur de fréquences BiCMOS en bande K basé sur un mélange passif à faibles pertes

Résumé

Ce papier présente la conception d'un convertisseur de fréquences doublement équilibré en bande K pour une conversion de 21GHz vers 1GHz. Pour piloter efficacement le mélangeur résistif constitué de 4 transistors nMOS " froids ", le signal d'oscillateur local (OL) est mis en forme par deux générateurs d'impulsion fonctionnant à 17,8GHz. Ce principe conduit à de faibles pertes de conversion, estimées à -2,1dB pour le mélangeur depuis des mesures indiquant un gain de conversion de 13,2dB pour le convertisseur complet. Ces résultats sont en accord avec les simulations électriques. Ce convertisseur a été réalisé avec la technologie BiCMOS SiGe 0,13 μm proposée par IBM.

Domaines

Electronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-00924201 , version 1 (06-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00924201 , version 1

Citer

Alessandro Magnani, Thomas Epert, Christophe Viallon, Mattia Borgarino, Thierry Parra. Convertisseur de fréquences BiCMOS en bande K basé sur un mélange passif à faibles pertes. 18èmes Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.4. ⟨hal-00924201⟩
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