Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts

Stéphane Alves (1) , Frédéric Morancho (1) , Jean Michel Reynes , J. Margherita , I. Deram , Karine Isoird (1)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Dans ce papier, le concept des "îlots flottants" a été implémenté sur silicium : pour la première fois une FLIDiode a été fabriquée. Les résultats expérimentaux confirment les simulations prédictives 2D : cette nouvelle diode affiche une importante tenue en tension (aux alentours de 95 Volts) avec une concentration de la couche épitaxiée de 1,1.1016 cm-3 qui est habituellement utilisée pour des composants 50 Volts. Ces mesures valident d'une part le concept des "îlots flottants" et, d'autre part, l'efficacité de la structure de bord qui sera utilisée dans la technologie FLIMOS : on peut donc espérer que la résistance spécifique à l'état passant du transistor FLIMOS sera considérablement réduite par rapport à celle du transistor VDMOS conventionnel.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Stéphane Alves, Frédéric Morancho, Jean Michel Reynes, J. Margherita, I. Deram, et al.. Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts. Seminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES. ⟨hal-01002131⟩