Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V

Loïc Théolier (1) , Hicham Mahfoz-Kotb (1) , Karine Isoird (1) , Frédéric Morancho (1)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Dans cet article, nous présentons l'étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS. Nous rappelons, dans un premier temps, la structure du transistor ainsi que ses caractéristiques technologiques. La structure est ensuite simulée à l'aide du logiciel TCAD Sentaurus dans le but d'étudier la sensibilité de ses performances statiques en fonction de la variation de différents paramètres géométriques et technologiques. Il s'avère que les variations technologiques dans le volume de la structure sont néfastes à sa tenue en tension, alors que la géométrie de surface influence peu le comportement.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Loïc Théolier, Hicham Mahfoz-Kotb, Karine Isoird, Frédéric Morancho. Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V. XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p. ⟨hal-01002262⟩