Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

Loïc Théolier (1) , Karine Isoird (2) , Frédéric Morancho (1) , Jaume Roig Guitart (2)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Dans ce papier, une étude est proposée afin de trouver une alternative à la technologie IGBT 1200 Volts avec une technologie MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée : L'UMOSFET, l'OBUMOSFET, le SJVDMOSFET et le DTMOSFET. Une étude comparative, à l'aide de simulations 2D, des structures de même tenue en tension nous a permis d'écarter certaines technologies, incapable de concurrencer les performances statiques d'un IGBT 1200Volts

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Loïc Théolier, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart. Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes. ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France. ⟨hal-01005697⟩