Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Fabien Thion (1) , Karine Isoird (2) , Dominique Planson (3, 4) , Marie-Laure Locatelli (5) , Henri Schneider (1) , Nicolas Mauran (6) , Riadh Issaoui (7) , J. Achard (7)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
3 EE - Ampère, Département Energie Electrique
4 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
5 LAPLACE-MDCE - Matériaux Diélectriques dans la Conversion d’Energie
6 LAAS-I2C - Service Instrumentation Conception Caractérisation
7 LSPM - Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux

Des diodes Schottky sont réalisées sur un échantillon vertical de diamant monocristallin dont la croissance a été réalisée au LSPM. Ces diodes ont été fabriquées en salle blanche au LAAS en tenant compte des résultats de simulations précédemment réalisées au laboratoire.Des caractéristiques électriques et en température ont ensuite été faites sur une station sous pointes. Les résultats de caractérisation sont montrés dans cet article, ainsi qu'une discussion autour de ces mêmes résultats.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fabien Thion, Karine Isoird, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, Henri Schneider, et al.. Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p. ⟨hal-01005917⟩