Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout " - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "

Résumé

Dans ce travail, nous proposons des solutions de durcissement contre les radiations afin d'augmenter les zones de sécurité de fonctionnement (SOA) des composants de puissance comme les IGBT. Nous présentons certaines modifications, réalisées au niveau design, permettant la désensibilisation contre les phénomènes de déclenchement liés aux structures parasites, afin d'améliorer la tenue aux radiations des composants de puissance à grilles isolées.

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Dates et versions

hal-01065194 , version 1 (18-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01065194 , version 1

Citer

Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Josiane Tasselli, et al.. Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout ". Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065194⟩
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