Caractérisation du CaCu3Ti4O12 en C(V) pour l'amélioration du modèle et de la compréhension de son comportement - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Caractérisation du CaCu3Ti4O12 en C(V) pour l'amélioration du modèle et de la compréhension de son comportement

Résumé

Depuis l'observation d'une très forte permittivité diélectrique sur la céramique CaCu3 Ti4 O12 au début des années 2000, de nombreux travaux ont été effectués pour comprendre l'origine physique de ce phénomène. Les différentes techniques de caractérisations électriques déjà utilisées ont conduit à proposer qu'une polarisation interfaciale existerait dans la microstructure de ce matériau métallisé. Dans cet article, la mesure capacité- tension (C-V), couramment utilisée plutôt dans le domaine des semi-conducteurs a été exploitée pour caractériser nos échantillons. Les résultats des mesures ont montré que l'allure de la réponse peut s'apparenter au comportement d'une double structure Métal- Isolant-Semi-conducteur (MIS). Une comparaison des résultats expérimentaux avec une simulation numérique d'un modèle double structure MIS a montré une bonne adéquation tant en basses qu'en hautes fréquences. De plus, ce modèle permet de donner des éléments sur le comportement électrique non symétrique du matériau, une propriété observée mais qui n'est pas prise en compte par les modèles existants.
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Dates et versions

hal-01065264 , version 1 (18-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01065264 , version 1

Citer

Chafé Cheballah, Zarel Valdez Nava, Lionel Laudebat, Thierry Lebey. Caractérisation du CaCu3Ti4O12 en C(V) pour l'amélioration du modèle et de la compréhension de son comportement. Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065264⟩
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