Optimisation de la diode à Superjonction et à tranchées profondes pour des applications à 600V
Résumé
L'objectif de ce papier est de présenter l'optimisation et la réalisation d'une diode à Superjonction et à tranchées profondes et de sa terminaison (DT-SJDiode) pouvant tenir des tensions de 600 V à l'état bloqué. Nous étudierons l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur la tenue en tension à partir de simulations effectuées sous Sentaurus TCAD. Des travaux précédents ont permis de valider certaines étapes technologiques et de dégager un procédé de fabrication pour des applications à 1200V. Il s'agit ici d'optimiser ces différentes étapes qui influent sur les paramètres électriques (verticalité des tranchées, remplissage des tranchées de terminaison de jonction, ...) pour des applications à 600V.
Domaines
Energie électrique
Fichier principal
SGE2014_NOBLECOURT.pdf (1.29 Mo)
Télécharger le fichier
SGE_NOBLECOURT.docx (2.79 Mo)
Télécharger le fichier
SGE_NOBLECOURT.pdf (980.92 Ko)
Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Format : Autre
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...