“Characterization and Modelling of Substrate Coupling Effects in 3D Integrated Circuit Stacking” Materials for Advanced Metallization, March 7-10, 2010, Mechelen, Belgium. - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

“Characterization and Modelling of Substrate Coupling Effects in 3D Integrated Circuit Stacking” Materials for Advanced Metallization, March 7-10, 2010, Mechelen, Belgium.

Eid E.
  • Fonction : Auteur
Lacrevaz T.
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Bermond C.
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Rivaz S. De
  • Fonction : Auteur
Capraro S.
  • Fonction : Auteur
Roullard J.
  • Fonction : Auteur
Cadix L.
  • Fonction : Auteur
Fléchet B.
Laboratoire d'aérologie
Farcy A.
  • Fonction : Auteur
Ancey P.
  • Fonction : Auteur
Calmon F.
CV
Valorge O.
  • Fonction : Auteur
Leduc P.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Isabelle Michelin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01074511

Soumis le : mardi 14 octobre 2014-16:19:58

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:50:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01074511 , version 1 (14-10-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01074511 , version 1

Citer

Eid E., Lacrevaz T., Bermond C., Rivaz S. De, Capraro S., et al.. “Characterization and Modelling of Substrate Coupling Effects in 3D Integrated Circuit Stacking” Materials for Advanced Metallization, March 7-10, 2010, Mechelen, Belgium.. Materials for Advanced Metallization, Mechelen, Belgium., Mar 2010, Mechelen, Belgium. ⟨hal-01074511⟩

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