« Investigation on TSV impact on 65nm CMOS devices and circuits »

Henda Chaabouni , Rousseau M. , Leduc P. , Farcy A. , Farhane R. El , Thuaire A. , Haury G. , Valentian A. , G. Billiot , Assous M. (1) , Crecy F. De , Cluzel J. (2) , Toffoli A. , Bouchu D. , Cadix L. , Lacrevaz T. (3) , Ancey P. , Sillon N. , Fléchet B. (3)

1 LAERO - Laboratoire d'aérologie
2 EGM (UMR_8261 / FRE_3630) - Expression Génétique Microbienne
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Henda Chaabouni, Rousseau M., Leduc P., Farcy A., Farhane R. El, et al.. « Investigation on TSV impact on 65nm CMOS devices and circuits ». , IEEE International Electron Devices Meeting,, Dec 2010, San Francisco, United States. ⟨hal-01074810⟩