Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Sylvain Noblecourt (1) , Josiane Tasselli (1) , Frédéric Morancho (1) , Karine Isoird (1) , Patrick Austin (1) , Pascal Dubreuil (2) , Aurélie Lecestre (2)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique

f L'objectif de ce papier est de présenter l'optimisation et la réalisation d'une diode à Superjonction et à tranchées profondes et de sa terminaison (DT-SJDiode) pouvant tenir des tensions de 600 V à l'état bloqué. Nous étudierons l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur la tenue en tension à partir de simulations effectuées sous Sentaurus TCAD. Des travaux précédents ont permis de valider certaines étapes technologiques et de dégager un procédé de fabrication pour des applications à 1200V. Il s'agit ici d'optimiser ces différentes étapes qui influent sur les paramètres électriques (verticalité des tranchées, remplissage des tranchées de terminaison de jonction, …) pour des applications à 600V.

Mots clés: Diode à Superjonction; Terminaison à tranchées profondes; BenzoCycloButène

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sylvain Noblecourt, Josiane Tasselli, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Patrick Austin, et al.. Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V. Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01102974⟩