Robustesse aux décharges électrostatiques (DES) de MESFET en Carbure de Silicium (SiC)

Tanguy Phulpin (1, 2)

1 UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier
2 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie

Le SiC est un semi-conducteur qui possède des propriétés physiques pour l'électronique de puissance nettement avantageuses en comparaison au silicium, non seulement grâce à sa forte tenue en tension mais aussi grâce à sa bonne tenue thermique jusqu'à 300°C. Ce travail consiste à étudier la robustesse contre les DES de composant MESFET utilisés comme commande intégré sur le même bloc qu'un composant de puissance en SiC. Une étude de robustesse sera menée sur trois conceptions du MESFET dont deux possédants une structure de protection élégamment intégrée.

Mots clés: SiC; MESFET; robustesse; ESD

Domaines: Physique [physics]; Sciences de l'ingénieur [physics]

Tanguy Phulpin. Robustesse aux décharges électrostatiques (DES) de MESFET en Carbure de Silicium (SiC). GEETDAY, école doctorale GEET, Apr 2016, Toulouse, France. ⟨hal-01339799⟩