Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC

Tanguy Phulpin (1, 2) , David Trémouilles (2) , Karine Isoird (2, 1) , Dominique Tournier (3) , Philippe Godignon (3) , Patrick Austin (1, 2)

1 UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier
2 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
3 EE - Ampère, Département Energie Electrique

De nos jours, la gestion de l'électricité devient de plus en plus importante. L'électronique de puissance joue un rôle important dans ce domaine, et des innovations sont souhaitées afin de limiter les pertes. C'est pourquoi l'élaboration de composant à semi-conducteur grand gap tels que le diamant, le GaN ou le SiC ont fait leur apparition sur le marché. Toutefois, des progrès sont à réaliser concernant leur fiabilité. Cet article présente la robustesse aux ESD d'un MESFET SiC et on proposera des solutions d'améliorations en s'appuyant sur des tests et des simulations afin de comprendre le déplacement du courant et les divers phénomènes qui se déroulent dans le composant tels que la non uniformité du courant ou l'apparition d'un transistor parasite.

Mots clés: ESD; mécanisme défaillance; robustesse; SiC; MESFET

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Tanguy Phulpin, David Trémouilles, Karine Isoird, Dominique Tournier, Philippe Godignon, et al.. Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC. Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France. ⟨hal-01339803⟩