Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin (1) , Karine Isoird (1) , David Trémouilles (1) , Patrick Austin (1) , Javier Leon (2) , Miquel Vellvehi (2) , Xavier Perpinya (2) , Xavier Jorda (2)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 IMB-CNM - Instituto de Microelectrònica de Barcelona

L'émergence des composants de puissance commercial en carbure de silicium (SiC) dans notre société s'accentue d'années en années mais certaines de leurs faiblesses perdurent. Dans ce travail nous étudierons l'impact de décharges électrostatiques (ESD) sur différents MESFET et nous montrerons que la faiblesse principale est intrinsèquement liée aux propriétés de son diélectrique de passivation le plus commun, le SiO2. Une analyse de ce composant voué à fonctionner en conditions sévères définira les limites actuelles de cette technologie en terme de robustesse aux ESD.

Mots clés: Composants semi-conducteurs de puissance

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Tanguy Phulpin, Karine Isoird, David Trémouilles, Patrick Austin, Javier Leon, et al.. Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France. ⟨hal-01361658⟩