Stability of Frenkel pairs in Si(100) surface in the presence of germanium and oxygen atoms - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2011

Stability of Frenkel pairs in Si(100) surface in the presence of germanium and oxygen atoms

S. Fetah
  • Fonction : Auteur
A. Chikouche
  • Fonction : Auteur
A. Dkhissi
  • Fonction : Auteur
P. Pochet

Résumé

no abstract

Dates et versions

hal-01481809 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

Citer

S. Fetah, A. Chikouche, A. Dkhissi, Georges Landa, P. Pochet. Stability of Frenkel pairs in Si(100) surface in the presence of germanium and oxygen atoms. Microelectronic Engineering, 2011, 88 (4), pp.503-505. ⟨10.1016/j.mee.2010.11.044⟩. ⟨hal-01481809⟩
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