Tensile and compressive strain relief in InxGa1-xAs epilayers grown on InP probed by Raman scattering - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1997

Tensile and compressive strain relief in InxGa1-xAs epilayers grown on InP probed by Raman scattering

Jesse Groenen
Georges Landa
Laboratoire Physique des Solides de Toulouse
CV
Robert Carles
CV
Ps Pizani
  • Fonction : Auteur
M Gendry

Résumé

no abstract

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Georges Landa  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01481831

Soumis le : jeudi 2 mars 2017-23:40:36

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21

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Dates et versions

hal-01481831 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

Citer

Jesse Groenen, Georges Landa, Robert Carles, Ps Pizani, M Gendry. Tensile and compressive strain relief in InxGa1-xAs epilayers grown on InP probed by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 1997, 82 (2), pp.803-809. ⟨10.1063/1.365775⟩. ⟨hal-01481831⟩

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