MBE growth and Raman analysis of [hhk]GaAs (Si or CaF2) highly strained heterostructures

Pascal Puech; E Daran; Georges Landa; C Fontaine; Ps Pizani; Robert Carles

doi:10.1016/0026-2692(95)00038-0

Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 1995

MBE growth and Raman analysis of [hhk]GaAs (Si or CaF2) highly strained heterostructures

, , (1) , , ,

Pascal Puech

Fonction : Auteur
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E Daran

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Georges Landa

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Laboratoire Physique des Solides de Toulouse

C Fontaine

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Ps Pizani

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Robert Carles

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ORCID : 0000-0003-3362-5851
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Résumé

no abstract

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Georges Landa : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01481832

Soumis le : jeudi 2 mars 2017-23:40:38

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21

Dates et versions

hal-01481832 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

HAL Id : hal-01481832 , version 1
DOI : 10.1016/0026-2692(95)00038-0

Citer

Pascal Puech, E Daran, Georges Landa, C Fontaine, Ps Pizani, et al.. MBE growth and Raman analysis of [hhk]GaAs (Si or CaF2) highly strained heterostructures. Microelectronics Journal, 1995, 26 (8), pp.789-795. ⟨10.1016/0026-2692(95)00038-0⟩. ⟨hal-01481832⟩

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