RAMAN-STUDY UNDER RESONANT CONDITIONS OF DEFECTS NEAR THE INTERFACE IN A GAAS-SI HETEROSTRUCTURE - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 1990

RAMAN-STUDY UNDER RESONANT CONDITIONS OF DEFECTS NEAR THE INTERFACE IN A GAAS-SI HETEROSTRUCTURE

Adnen Mlayah
Robert Carles
Eléna Bedel-Pereira
C Fontaine
  • Fonction : Auteur
A Munozyague
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01481843 , version 1 (02-03-2017)

Identifiants

Citer

Adnen Mlayah, Robert Carles, Georges Landa, Eléna Bedel-Pereira, C Fontaine, et al.. RAMAN-STUDY UNDER RESONANT CONDITIONS OF DEFECTS NEAR THE INTERFACE IN A GAAS-SI HETEROSTRUCTURE. Journal of Applied Physics, 1990, 68 (9), pp.4777-4781. ⟨10.1063/1.346133⟩. ⟨hal-01481843⟩
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