Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications

Lucie Mazet (1) , Romain Bachelet (1) , Lamis Louahadj (1) , Sylvie Schamm-Chardon (2, 3) , Martin Hÿtch (2) , David Albertini (4) , Brice Gautier (5) , Guillaume Saint-Girons (1) , Catherine Dubourdieu (6)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
3 CEMES-MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
4 LPM - Laboratoire de physique de la matière
5 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
6 INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon

no abstract

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Optique / photonique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Matériaux; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Lamis Louahadj, Sylvie Schamm-Chardon, Martin Hÿtch, et al.. Epitaxial growth of BaTiO3 on Si and SOI by molecular beam epitaxy for ferroelectric applications. ISAF 2014, May 2014, Penn State University in State College, PA, USA, United States. ⟨hal-01489874⟩