Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices

Lucie Mazet (1) , Romain Bachelet (1) , Guillaume Saint-Girons (1) , David Albertini (2) , Brice Gautier (3) , M. Frank (4) , J. Jordan-Sweet , I. Lauer , V. Narayanan (4) , Martin Hÿtch (5) , Sylvie Schamm-Chardon (5, 6) , Catherine Dubourdieu (7)

1 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
2 LPM - Laboratoire de physique de la matière
3 INL - DE - INL - Dispositifs Electroniques
4 IBM T.J. Watson Research Center
5 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
6 CEMES-MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
7 INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Optique / photonique; Matériaux; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Lucie Mazet, Romain Bachelet, Guillaume Saint-Girons, David Albertini, Brice Gautier, et al.. Monolithic integration of epitaxial BaTiO3 on Si and SiGe for ferroelectric devices. AVS 61st International Symposium, 2014, Baltimore, USA, United States. ⟨hal-01490296⟩