Article Dans Une Revue
Japanese Journal of Applied Physics
Année : 2017
Etienne Gheeraert : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01502587
Soumis le : mercredi 5 avril 2017-17:58:55
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:32:44
Citer
Khaled Driche, H. Umezawa, Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger, Gauthier Chicot, Etienne Gheeraert. Characterization of breakdown behavior of diamond Schottky barrier diodes using impact ionization coefficients. Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 56 (4S), pp.04CR12. ⟨10.7567/JJAP.56.04CR12⟩. ⟨hal-01502587⟩
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