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Conference papers
Jonctions tunnel AlGaAsSb/AlGaInAs accordées et relaxées sur substrat GaAs pour les applications photovoltaïques
Kevin Louarn
1, 2
Yann Claveau
3
Alexandre Arnoult
4
Chantal Fontaine
1
Jonathan Colin
1
Clara Cornille
1
Inès Massiot
1
Ludovic Marigo-Lombart
1
François Piquemal
2
Alexandre Bounouh
5
Nicolas Cavassilas
3
Guilhem Almuneau
1
4
LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique
LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
Kevin Louarn 1, 2
Author
Yann Claveau 3
Author IdHAL : yann-claveau
Alexandre Arnoult 4
Author Employer institution : Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique
Chantal Fontaine 1
Author Employer institution : Équipe Photonique IdHAL : chantal-fontaine
Jonathan Colin 1
Author
Clara Cornille 1
Author
Inès Massiot 1
Author IdHAL : ines-massiot
Ludovic Marigo-Lombart 1
Author
François Piquemal 2
Author
Alexandre Bounouh 5
Author
Nicolas Cavassilas 3
Author IdHAL : nicolas-cavassilas ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1329-8438
Guilhem Almuneau 1
Author Employer institution : Équipe Photonique IdHAL : almuneau
1
LAAS-PHOTO - Équipe Photonique (France)
- LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - France)
- UT1 - Université Toulouse 1 Capitole (2 rue du Doyen-Gabriel-Marty - 31042 Toulouse Cedex 9 - France)
- INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (135, avenue de Rangueil - 31077 Toulouse cedex 4 - France)
- UT2J - Université Toulouse - Jean Jaurès (5 allées Antonio Machado - 31058 Toulouse Cedex 9 - France)
- UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier (118 route de Narbonne - 31062 Toulouse - France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR8001 (France)
- Toulouse INP - Institut National Polytechnique (Toulouse) (France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
2
LNE - Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] (29 avenue Roger Hennequin 78197 Trappes cedex - France)
3
IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (Faculté des Sciences
Avenue Escadrille Normandie Niemen
Case 142
13397 Marseille Cedex 20 - France)
- AMU - Aix Marseille Université : UMR7334 (Aix-Marseille Université Jardins du Pharo 58 Boulevard Charles Livon 13284 Marseille cedex 7 - France)
- UTLN - Université de Toulon : UMR7334 (Avenue de l'Université - BP 20132 - 83957 La Garde Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR7334 (France)
4
LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (France)
- LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - France)
- UT1 - Université Toulouse 1 Capitole (2 rue du Doyen-Gabriel-Marty - 31042 Toulouse Cedex 9 - France)
- INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (135, avenue de Rangueil - 31077 Toulouse cedex 4 - France)
- UT2J - Université Toulouse - Jean Jaurès (5 allées Antonio Machado - 31058 Toulouse Cedex 9 - France)
- UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier (118 route de Narbonne - 31062 Toulouse - France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR8001 (France)
- Toulouse INP - Institut National Polytechnique (Toulouse) (France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
5
CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay
Centre de Grenoble
Centre de Cadarache
etc - France)
Résumé : Les Jonctions Tunnel (JT) sont des composants très importants pour les cellules solaires multi-jonction, puisqu'elles assurent la connexion électrique en série entre les différentes sous-cellules. Récemment, il a été fabriqué par EPVOM des JTs AlGaAs:C/GaAs:Te et AlGaAs:C/GaInP:Te atteignant des densités de courant pic J pic records de 10 kA/cm² sur substrat GaAs [1], en remplaçant le dopant N usuel Si par du Te et permettant ainsi d'obtenir les forts niveaux de dopages nécessaires pour augmenter la probabilité d'effet tunnel dans le composant. Nous avons travaillé sur une autre approche pour obtenir des JT de "hautes" performances, et ne nécessitant pas des dopages aussi forts : il s'agit de profiter des offsets de bandes de l'hétérojonction AlGaAsSb/AlGaInAs de type II pour augmenter la probabilité d'effet tunnel.
Document type :
Conference papers
Domain :
Complete list of metadatas
https://hal.laas.fr/hal-01610933
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Thursday, October 12, 2017 - 4:31:13 PM
Last modification on : Tuesday, February 16, 2021 - 3:10:34 AM
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Thursday, October 12, 2017 - 4:31:13 PM
Last modification on : Tuesday, February 16, 2021 - 3:10:34 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-01610933, version 1
Collections
LAAS | CNRS | UNIV-TLN | CEA | IM2NP | UNIV-AMU | LNE | INSA-TOULOUSE | LAAS-HYPERFREQUENCES-ET-OPTIQUE | LAAS-PHOTO | LAAS-TEAM | INSA-GROUPE | UNIV-TLSE3 | UT1-CAPITOLE | UNIV-TLSE2
Citation
Kevin Louarn, Yann Claveau, Alexandre Arnoult, Chantal Fontaine, Jonathan Colin, et al.. Jonctions tunnel AlGaAsSb/AlGaInAs accordées et relaxées sur substrat GaAs pour les applications photovoltaïques. Réunion plénière du GDR PULSE 2017 ( Processus Ultimes d'épitaxie de Semiconducteurs 2017), Oct 2017, Paris, France. ⟨hal-01610933⟩
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