1.3 \mathrmμm luminescence and gain from defect-free InGaAs-GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2000

1.3 \mathrmμm luminescence and gain from defect-free InGaAs-GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition

N N Ledentsov
  • Fonction : Auteur
M V Maximov
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D Bimberg
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T Maka
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C M Sotomayor Torres
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I V Kochnev
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I L Krestnikov
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V M Lantratov
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Yu M Musikhin
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Zh I Alferov
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Dates et versions

hal-01736135 , version 1 (16-03-2018)

Identifiants

Citer

N N Ledentsov, M V Maximov, D Bimberg, T Maka, C M Sotomayor Torres, et al.. 1.3 \mathrmμm luminescence and gain from defect-free InGaAs-GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition. Semiconductor Science and Technology, 2000, 15 (6), pp.604--607. ⟨10.1088/0268-1242/15/6/320⟩. ⟨hal-01736135⟩
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