Sequential He++H+ ion implantation in silicon: factors affecting blistering” - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Sequential He++H+ ion implantation in silicon: factors affecting blistering”

Domaines

Physique [physics]

Isabelle Labau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01763083

Soumis le : mardi 10 avril 2018-16:53:24

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01763083 , version 1 (10-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01763083 , version 1

Citer

Nikolay Cherkashin, Nabil Daghbouj, Alain Claverie. Sequential He++H+ ion implantation in silicon: factors affecting blistering”. 4th International Conference On Nano Structuring by Ion Beam (ICNIB 2017), Oct 2017, Indore, India. ⟨hal-01763083⟩

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