Blistering of silicon surfaces due to very low energy H and He co-implantation - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Blistering of silicon surfaces due to very low energy H and He co-implantation

Domaines

Physique [physics]

Isabelle Labau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01763096

Soumis le : mardi 10 avril 2018-17:05:36

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01763096 , version 1 (10-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01763096 , version 1

Citer

Alain Claverie, Nabil Daghbouj, Nikolay Cherkashin. Blistering of silicon surfaces due to very low energy H and He co-implantation. EMN Conference, May 2016, Dubrovnic, Croatia. ⟨hal-01763096⟩

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