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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

. Effect of the Order of He and H Ion Sequential Implantations on Damage Generation and Subsequent Thermal Evolution of Defects in Silicon

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Physique [physics]

Isabelle Labau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01763581

Soumis le : mercredi 11 avril 2018-11:36:06

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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Dates et versions

hal-01763581 , version 1 (11-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01763581 , version 1

Citer

Alain Claverie, Nikolay Cherkashin. . Effect of the Order of He and H Ion Sequential Implantations on Damage Generation and Subsequent Thermal Evolution of Defects in Silicon. SMMIB 2017, 2017, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-01763581⟩

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