Process induced strains in FDSOI devices:  a contribution of dark-field electron holography

Victor Boureau; Martin Hÿtch; Benoit Daniel; Alain Claverie

Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Process induced strains in FDSOI devices: a contribution of dark-field electron holography

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Victor Boureau

Fonction : Auteur
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STMicroelectronics [Crolles]

Martin Hÿtch

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Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique

CV

Benoit Daniel

Fonction : Auteur
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Alain Claverie

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Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme

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Isabelle Labau : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : mercredi 11 avril 2018-11:57:28

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

Dates et versions

hal-01763625 , version 1 (11-04-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01763625 , version 1

Citer

Victor Boureau, Martin Hÿtch, Benoit Daniel, Alain Claverie. Process induced strains in FDSOI devices: a contribution of dark-field electron holography . Micro and Nano 2015, Oct 2015, Athenes, Greece. ⟨hal-01763625⟩

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