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DOI : 10.1088/0022-3727/45/4/045101

K. Louarn, C. Fontaine, A. Arnoult, F. Olivié, G. Lacoste et al., Modelling of interband transitions in GaAs tunnel diode, Semiconductor Science and Technology, vol.31, issue.6, pp.31-37, 2016.
DOI : 10.1088/0268-1242/31/6/06LT01
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01857640

K. Louarn, Multiband corrections for the semi­classical simulation of interband tunneling in GaAs tunnel junctions
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01610949

, J. Phys. D: Appl. Phys, vol.50, p.385109, 2017.

, Ce travail a bénéficié du support financier du projet EMRP­EURAMET SolCell et de l'ANRT­CIFRE, et du projet ANR­14­CE26­0020­01 ``Platofil''; et a bénéficié du support technique de la