A strained SiGe layer heterojunction bipolar phototransistor for short-range opto-microwave applications - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

A strained SiGe layer heterojunction bipolar phototransistor for short-range opto-microwave applications

J.L. Polleux
C. Rumelhard
  • Fonction : Auteur
L. Paszkiewicz
  • Fonction : Auteur
J. Salset
  • Fonction : Auteur
N. Chennafi
  • Fonction : Auteur
C. Gonzalez
  • Fonction : Auteur
J. Thuret
  • Fonction : Auteur
F. Moutier
Institut de recherche en astrophysique et planétologie
CV
A.L. Billabert
  • Fonction : Auteur
E. Sommez
  • Fonction : Auteur
H. Schmacher
  • Fonction : Auteur

Domaines

Optique / photonique Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Luc Polleux  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01835041

Soumis le : mercredi 11 juillet 2018-10:21:51

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:20

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01835041 , version 1 (11-07-2018)

Identifiants

Citer

J.L. Polleux, C. Rumelhard, L. Paszkiewicz, J. Salset, N. Chennafi, et al.. A strained SiGe layer heterojunction bipolar phototransistor for short-range opto-microwave applications. MWP 2003 International Topical Meeting on Microwave Photonics, 2003., Oct 1999, Budapest, France. ⟨10.1109/MWP.2003.1422840⟩. ⟨hal-01835041⟩

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