Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2016

Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01857637 , version 1 (16-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01857637 , version 1

Citer

Kevin Louarn, Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, François Olivie, François Piquemal, et al.. Fabrication, caractérisation et simulation d’hétérojonctions tunnel et d’un absorbeur à 1eV à base de semiconducteurs III-V pour les cellules solaires multijonctions à haut rendement. 15eme Journees Nano, Micro et Optoelectronique (JNMO), May 2016, Les Issambres, France. 2016. ⟨hal-01857637⟩
99 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More