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Journal articles
Modelling of interband transitions in GaAs tunnel diode
Kevin Louarn
1, 2
Chantal Fontaine
1
Alexandre Arnoult
3
François Olivie
4
Guy Lacoste
3
Francois Piquemal
5
Alexandre Bounouh
6
Guilhem Almuneau
1
3
LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique
LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
4
LAAS-MICA - Équipe MICrosystèmes d'Analyse
LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
6
LCAE - Laboratoire Capteurs et Architectures Electroniques
DM2I - Département Métrologie Instrumentation & Information : DRT/LIST/DM2I
Kevin Louarn 1, 2
Author
Chantal Fontaine 1
Author Employer institution : Équipe Photonique IdHAL : chantal-fontaine
Alexandre Arnoult 3
Author
François Olivie 4
Author
Guy Lacoste 3
Author
Francois Piquemal 5
Author
Alexandre Bounouh 6
Author
Guilhem Almuneau 1
Author Employer institution : Équipe Photonique IdHAL : almuneau
1
LAAS-PHOTO - Équipe Photonique (France)
- LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - France)
- UT1 - Université Toulouse 1 Capitole (2 rue du Doyen-Gabriel-Marty - 31042 Toulouse Cedex 9 - France)
- INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (135, avenue de Rangueil - 31077 Toulouse cedex 4 - France)
- UT2J - Université Toulouse - Jean Jaurès (5 allées Antonio Machado - 31058 Toulouse Cedex 9 - France)
- UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier (118 route de Narbonne - 31062 Toulouse - France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR8001 (France)
- Toulouse INP - Institut National Polytechnique (Toulouse) (France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
2
LNE - Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] (29 avenue Roger Hennequin 78197 Trappes cedex - France)
3
LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (France)
- LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - France)
- UT1 - Université Toulouse 1 Capitole (2 rue du Doyen-Gabriel-Marty - 31042 Toulouse Cedex 9 - France)
- INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (135, avenue de Rangueil - 31077 Toulouse cedex 4 - France)
- UT2J - Université Toulouse - Jean Jaurès (5 allées Antonio Machado - 31058 Toulouse Cedex 9 - France)
- UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier (118 route de Narbonne - 31062 Toulouse - France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR8001 (France)
- Toulouse INP - Institut National Polytechnique (Toulouse) (France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
4
LAAS-MICA - Équipe MICrosystèmes d'Analyse (France)
- LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (7 Av du colonel Roche 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - France)
- UT1 - Université Toulouse 1 Capitole (2 rue du Doyen-Gabriel-Marty - 31042 Toulouse Cedex 9 - France)
- INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (135, avenue de Rangueil - 31077 Toulouse cedex 4 - France)
- UT2J - Université Toulouse - Jean Jaurès (5 allées Antonio Machado - 31058 Toulouse Cedex 9 - France)
- UT3 - Université Toulouse III - Paul Sabatier (118 route de Narbonne - 31062 Toulouse - France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR8001 (France)
- Toulouse INP - Institut National Polytechnique (Toulouse) (France)
- Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées (41 Allée Jules Guesde, 31000 Toulouse - France)
5
LCM - Laboratoire commun de métrologie LNE-CNAM (CNAM Case courrier 2D7P30 rue du Landy
93210 LA PLAINE SAINT DENIS - France)
- LNE - Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] : EA2367 (29 avenue Roger Hennequin 78197 Trappes cedex - France)
- CNAM - Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] : EA2367 (France)
6
LCAE - Laboratoire Capteurs et Architectures Electroniques (CEA LIST bât. 516 91191 Gif-sur-Yvette - France)
- DM2I - Département Métrologie Instrumentation & Information : DRT/LIST/DM2I (ex DCSI.
CEA LIST - France)
- LIST - Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies : DRT/LIST (DRT/LIST
Nano-INNOV
Avenue de la Vauve
91120 Palaiseau
- France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT/LIST (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- Université Paris-Saclay (Espace Technologique, Bat. Discovery - RD 128 - 2e ét., 91190 Saint-Aubin - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT/LIST (France)
- LIST - Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies : DRT/LIST (DRT/LIST
Nano-INNOV
Avenue de la Vauve
91120 Palaiseau
- France)
Abstract : In this paper, an improved model for non-local band-to-band tunneling carrier transport is presented and compared to experimental measurement from GaAs tunnel junctions devices. By carefully taking into account the coupling between the conduction band and the light holes valence band, the model is able to predict, with realistic material parameters, the amplitude of the current density throughout the whole tunneling regime. The model suggests that elastic band-to-band tunneling instead of trap-assisted-tunneling is the predominant mechanism in GaAs tunnel junctions, which is of great interest for better understanding and improving III–V multijunction solar cells.
Document type :
Journal articles
Complete list of metadatas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01857640
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Thursday, August 16, 2018 - 5:41:14 PM
Last modification on : Monday, February 10, 2020 - 6:13:45 PM
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Thursday, August 16, 2018 - 5:41:14 PM
Last modification on : Monday, February 10, 2020 - 6:13:45 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-01857640, version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/31/6/06LT01
Collections
CNRS | CNAM | LAAS-TEAM | CEA | CEA-UPSAY | DRT | LNE | INSA-TOULOUSE | LAAS-MICA | LIST | LAAS | LAAS-MICRO-NANO-BIO-TECHNOLOGIES | LAAS-HYPERFREQUENCES-ET-OPTIQUE | LAAS-PHOTO | UNIV-HESAM | INSA-GROUPE | UNIV-TLSE3 | DM2I | LNE-CNAM | UT1-CAPITOLE | UNIV-TLSE2
Citation
Kevin Louarn, Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, François Olivie, Guy Lacoste, et al.. Modelling of interband transitions in GaAs tunnel diode. Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2016, 31 (6), pp.06LT01. ⟨10.1088/0268-1242/31/6/06LT01⟩. ⟨hal-01857640⟩
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