, Cartographie de la résistivité d'un substrat 4" et d'un substrat 6

, Oxydation thermique 100 nm 3. Implantation Bore à 50 keV et 1.10 14 at

, Désoxydation

, Recuit d'activation 30 min à 1000°C sous N2

, Cartographie de la résistivité des plaques Qualification de l'homogénéité d'implantation