Investigations on GaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3–1.55μm emission

J.C Harmand , G Ungaro , J. Ramos (1) , E.V.K Rao , G. Saint-Girons (2) , R. Teissier (3) , G. Le Roux (4) , L. Largeau (5) , G. Patriarche (5)

1 MPIA - Max-Planck-Institut für Astronomie
2 INL - H&N - INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
3 CEM2 - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
4 LEFE - Laboratoire Ecologie Fonctionnelle et Environnement
5 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

J.C Harmand, G Ungaro, J. Ramos, E.V.K Rao, G. Saint-Girons, et al.. Investigations on GaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3–1.55μm emission. Journal of Crystal Growth, 2001, 227-228, pp.553-557. ⟨10.1016/S0022-0248(01)00765-5⟩. ⟨hal-01939856⟩