Electron spin polarization in GaAsBi quantum wells: Temperature dependence - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Electron spin polarization in GaAsBi quantum wells: Temperature dependence

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01947288 , version 1 (06-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947288 , version 1

Citer

Sawsen Azaizia, Andrea Balocchi, Delphine Lagarde, Alexandre Arnoult, Chantal Fontaine, et al.. Electron spin polarization in GaAsBi quantum wells: Temperature dependence. 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Prof. Kirstin Volz, Jul 2017, Marburg, Germany. ⟨hal-01947288⟩
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