Electron g-factor in strained bulk GaAsBi epilayers

Simone Mazzucato (1) , Henri Lehec (1) , Tiantian Zhang , Hélène Carrère (1) , Delphine Lagarde (1) , Poonyasiri Boonpeng (2) , Alexandre Arnoult (3) , Guy Lacoste (3) , Andrea Balocchi (1) , Chantal Fontaine (2) , Thierry Amand (1) , Xavier Marie (1)

1 LPCNO - Laboratoire de physique et chimie des nano-objets
2 LAAS-PHOTO - Équipe Photonique
3 LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Matériaux; Optique / photonique

Simone Mazzucato, Henri Lehec, Tiantian Zhang, Hélène Carrère, Delphine Lagarde, et al.. Electron g-factor in strained bulk GaAsBi epilayers. Compound Semiconductor Week 2014, May 2014, Montpellier, France. ⟨hal-01947298⟩