Bi-assisted nucleation of GaAs grown on 5°off (001) silicon substrates by molecular beam epitaxy - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2014

Bi-assisted nucleation of GaAs grown on 5°off (001) silicon substrates by molecular beam epitaxy

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux Optique / photonique

Chantal Fontaine  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-01947368

Soumis le : jeudi 6 décembre 2018-16:51:05

Dernière modification le : mercredi 13 décembre 2023-18:06:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01947368 , version 1 (06-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947368 , version 1

Citer

Poonyasiri Boonpeng, Alexandre Arnoult, Aurélien Kuck, Guy Lacoste, Chantal Fontaine. Bi-assisted nucleation of GaAs grown on 5°off (001) silicon substrates by molecular beam epitaxy. 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep 2014, Flagstaff, United States. 2014. ⟨hal-01947368⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-TLSE2 CNRS INSA-TOULOUSE LAAS UT1-CAPITOLE LAAS-PHOTO LAAS-TEAM LAAS-HYPERFREQUENCES-ET-OPTIQUE INSA-GROUPE TOULOUSE-INP UNIV-UT3 UT3-TOULOUSEINP
21 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More