Growth and properties of GaAsBi thin layers by molecular beam epitaxy

Chantal Fontaine (1) , Alexandre Arnoult (2) , Fuccio Cristiano (3) , Hélène Carrère (4) , Sawsen Azaizia (4) , Andrea Balocchi (4)

1 LAAS-PHOTO - Équipe Photonique
2 LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique
3 LAAS-MPN - Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique
4 LPCNO - Laboratoire de physique et chimie des nano-objets

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Matériaux; Optique / photonique

Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, Fuccio Cristiano, Hélène Carrère, Sawsen Azaizia, et al.. Growth and properties of GaAsBi thin layers by molecular beam epitaxy. International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Jul 2016, Shanghai, China. 2016. ⟨hal-01947425⟩