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Poster communications

Jonctions tunnel à très hautes performances à base d'hétérostructures de type II sur GaAs pour les cellules solaires multijonction

Kevin Louarn 1 Yann Claveau 2 Chantal Fontaine 1 Alexandre Arnoult 3 Ludovic Marigo-Lombart 1 Inès Massiot 4 François Piquemal 5 Nicolas Cavassilas 6 Alexandre Bounouh 7 Guilhem Almuneau 1
1 LAAS-PHOTO - Équipe Photonique
LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
2 IPR - Institut de Physique de Rennes
3 LAAS-TEAM - Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique
LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
5 LNE - Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes]
6 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
7 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Résumé : Les jonctions tunnel (JT) constituent des éléments essentiels dans la conception de cellules solaires à multijonction, puisqu'elles assurent les interconnexions permettant de mettre en série les cellules élémentaires et ce, sans perte de performances. Les cellules élémentaires absorbant différentes gammes du spectre solaire peuvent être empilées de façon monolithique par épitaxie sur un substrat. Les cellules multijonction couvrent ainsi plus efficacement le spectre solaire et peuvent atteindre, grâce à la réduction des pertes par thermalisation, des rendements élevés, le record étant actuellement de 46% [1]. Les JT assurent donc les interconnexions électriques et doivent satisfaire plusieurs critères pour minimiser les pertes dans la multijonction : une capacité de conduction (évaluée par le courant tunnel pic) bien supérieure au courant photogénéré par la cellule multijonction ; une très faible résistance ; une absorption optique minimale pour assurer la transmission sans perte dans la bande spectrale de la (ou des) cellule(s) sous-jacente(s) ; ces JT doivent enfin présenter d'excellentes qualités structurales et ne pas contenir de dislocations dans le composant qui seraient générées par la relaxation des contraintes paramétriques.
Document type :
Poster communications
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https://hal.laas.fr/hal-01980237
Contributor : Guilhem Almuneau <>
Submitted on : Wednesday, January 23, 2019 - 9:57:51 AM
Last modification on : Monday, February 15, 2021 - 11:06:15 AM

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Identifiers

  • HAL Id : hal-01980237, version 1

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Citation

Kevin Louarn, Yann Claveau, Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, Ludovic Marigo-Lombart, et al.. Jonctions tunnel à très hautes performances à base d'hétérostructures de type II sur GaAs pour les cellules solaires multijonction. Jounées Nationales du Photovoltaïque (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. 2018. ⟨hal-01980237⟩

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