Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM

C. Rouhabi , T. Besombes , Reasmey Phary Tan , Fabien Guérin , C. Capello , F. Gessinn , Gérard Benassayag (1) , Alain Claverie (1) , Xavier Hebras (1) , Marc Respaud (2)

1 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
2 LPCNO - Laboratoire de physique et chimie des nano-objets

Nous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM.

Domaines: Chimie; Physique [physics]

C. Rouhabi, T. Besombes, Reasmey Phary Tan, Fabien Guérin, C. Capello, et al.. Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM. Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1011. ⟨hal-01982860⟩