Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium

Jérémie Grisolia (1, 2) , Gérard Benassayag (3) , Régis Diaz (1) , Ch. Duprat (2) , Fabien Guérin (2) , C. Capello (2) , C. Rouabhi (2) , F. Gessinn (2) , Marc Respaud (1)

1 LPCNO - Laboratoire de physique et chimie des nano-objets
2 AIME - Atelier Interuniversitaire de Micro-Nano Electronique
3 CEMES-MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme

Cet article présente une formation de courte durée, en salle blanche, donnant une approche pratique complète du concept « NANO-INSIDE » appliqué à la réalisation de mémoire de type FLASH par l’intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les opérations de fabrication des circuits intégrés de type « mémoires », ainsi que leurs caractérisations à la fois matériaux et composants (électriques). In fine, le but est de montrer à un public étudiant comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation.

Domaines: Physique [physics]; Chimie

Jérémie Grisolia, Gérard Benassayag, Régis Diaz, Ch. Duprat, Fabien Guérin, et al.. Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium. Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2014, 13, pp.0008. ⟨hal-01994620⟩