Investigation of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by in-situ Transmission Electron Microscopy (TEM) and Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS) - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Investigation of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by in-situ Transmission Electron Microscopy (TEM) and Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)

T. Dewolf
  • Fonction : Auteur
D. Cooper
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N. Bernier
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V. Delaye
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A. Grenier
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H. Grampeix
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C. Charpin
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F. Nardelli
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S. Pauliac
  • Fonction : Auteur
S. Bernasconi
E. Jalaguier
  • Fonction : Auteur
G. Audoit
  • Fonction : Auteur
S. Schamm-Chardon
Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
CV

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sylvie Schamm-Chardon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01998793

Soumis le : mardi 29 janvier 2019-18:45:29

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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Dates et versions

hal-01998793 , version 1 (29-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01998793 , version 1

Citer

T. Dewolf, D. Cooper, N. Bernier, V. Delaye, A. Grenier, et al.. Investigation of switching mechanism in HfO2-based oxide resistive memories by in-situ Transmission Electron Microscopy (TEM) and Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS). ISTFA 2017, Nov 2017, Pasadena, United States. pp.371-374. ⟨hal-01998793⟩

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