A universal mechanism to describe III-V epitaxy on Si

Ida Lucci (1) , Simon Charbonnier (2) , Laurent Pedesseau (1) , Maxime Vallet (3) , Laurent Cerutti (4, 5) , Jean-Baptiste Rodriguez (4, 5) , Eric Tournié (4, 5) , Rozenn Bernard (1) , Antoine Létoublon (1) , Nicolas Bertru (1) , Alain Le Corre (1) , Stephanie Rennesson (6) , Fabrice Semond (6) , Gilles Patriarche (7) , Ludovic Largeau (7) , Pascal Turban (2) , Anne Ponchet (3) , C. Cornet (1)

1 FOTON - Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
2 IPR - Institut de Physique de Rennes
3 CEMES - Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
4 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
5 NANOMIR - Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge
6 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
7 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis]

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Matériaux

Ida Lucci, Simon Charbonnier, Laurent Pedesseau, Maxime Vallet, Laurent Cerutti, et al.. A universal mechanism to describe III-V epitaxy on Si. 20th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (Euro-MBE 2019), Feb 2019, Lenggries, Germany. ⟨hal-02048639⟩