(Invited) Impact of Some Processing Steps onto the Strain Distributions in FD-SOI CMOS Planar Devices: A Contribution of Dark-Field Electron Holography - Université Toulouse III - Paul Sabatier - Toulouse INP Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2018

(Invited) Impact of Some Processing Steps onto the Strain Distributions in FD-SOI CMOS Planar Devices: A Contribution of Dark-Field Electron Holography

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-02057250

Soumis le : mardi 5 mars 2019-11:02:37

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Dates et versions

hal-02057250 , version 1 (05-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02057250 , version 1

Citer

Victor Boureau, Daniel Benoit, Alain Claverie. (Invited) Impact of Some Processing Steps onto the Strain Distributions in FD-SOI CMOS Planar Devices: A Contribution of Dark-Field Electron Holography. ECS Transactions, 2018, 86 (10), pp.37-50. ⟨hal-02057250⟩

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